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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.1
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
1254
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
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