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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
26
读取速度,GB/s
17.4
18.8
写入速度,GB/s
10.9
15.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3733
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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