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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
89
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
89
读取速度,GB/s
17.4
13.6
写入速度,GB/s
10.9
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1518
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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