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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
17.4
16.7
写入速度,GB/s
10.9
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2661
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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