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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
33
读取速度,GB/s
17.4
13.8
写入速度,GB/s
10.9
9.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2553
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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