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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
42
读取速度,GB/s
17.4
14.7
写入速度,GB/s
10.9
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2476
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KY7N41-MIE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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