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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
5,987.5
15.7
写入速度,GB/s
2,160.7
13.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3322
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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