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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
32
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
32
读取速度,GB/s
17.4
15.3
写入速度,GB/s
10.9
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2706
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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