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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
32
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
32
读取速度,GB/s
17.4
19.4
写入速度,GB/s
10.9
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3364
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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