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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

总分
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB 需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    14 left arrow 34
    左右 -143% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    26.4 left arrow 16
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    19.8 left arrow 10.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    34 left arrow 14
  • 读取速度，GB/s
    16.0 left arrow 26.4
  • 写入速度，GB/s
    10.3 left arrow 19.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2782 left arrow 4362

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较

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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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内存RAM
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Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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