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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
9.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3095
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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