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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
9.1
18.1
写入速度,GB/s
9.9
14.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
3418
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Jinyu 16GB
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Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
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