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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
31
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.2
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
24
读取速度,GB/s
17.4
21.7
写入速度,GB/s
10.9
19.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
4349
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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