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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
33
读取速度,GB/s
17.4
19.4
写入速度,GB/s
10.9
15.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3564
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
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