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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
11.7
17.2
写入速度,GB/s
7.2
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3294
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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