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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
17.1
写入速度,GB/s
1,857.7
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3742
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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