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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
27
读取速度,GB/s
15.8
17.7
写入速度,GB/s
11.8
12.8
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3152
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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