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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
3152
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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