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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
17.4
16.9
写入速度,GB/s
10.9
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3208
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Mushkin 991586 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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