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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston 9905702-071.A00G 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
17.4
16.2
写入速度,GB/s
10.9
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2934
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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