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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
32
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
32
读取速度,GB/s
17.4
16.2
写入速度,GB/s
10.9
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3148
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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