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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
35
读取速度,GB/s
17.4
15.4
写入速度,GB/s
10.9
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2713
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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