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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
17.4
16.8
写入速度,GB/s
10.9
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3147
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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