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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
37
读取速度,GB/s
17.4
14.0
写入速度,GB/s
10.9
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2327
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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