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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
37
读取速度,GB/s
17.4
14.0
写入速度,GB/s
10.9
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2327
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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