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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
32
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
32
读取速度,GB/s
17.4
11.1
写入速度,GB/s
10.9
9.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2449
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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