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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
17.4
13.9
写入速度,GB/s
10.9
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2504
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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