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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
17.4
17.2
写入速度,GB/s
10.9
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3238
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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