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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
总分
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
75
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
75
读取速度,GB/s
16.4
14.6
写入速度,GB/s
10.5
6.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2618
1556
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
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