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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
36
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
19
读取速度,GB/s
16.4
19.5
写入速度,GB/s
10.5
15.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2618
3435
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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