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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
5,987.5
17.1
写入速度,GB/s
2,160.7
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3237
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
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