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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
比较
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
总分
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
34
读取速度,GB/s
15.5
14.3
写入速度,GB/s
9.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2405
2699
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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