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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
比较
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
总分
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
总分
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
52
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
52
读取速度,GB/s
15.5
10.0
写入速度,GB/s
9.0
7.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2405
2306
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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