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G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 -5% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
37
读取速度,GB/s
14.2
13.2
写入速度,GB/s
8.9
8.4
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2143
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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