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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
总分
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
34
读取速度,GB/s
16.2
18.4
写入速度,GB/s
10.7
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2644
3447
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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