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Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
比较
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB vs TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
总分
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
总分
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5% 更高的带宽
需要考虑的原因
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.9
15.0
写入速度,GB/s
8.8
9.8
内存带宽,mbps
19200
12800
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2186
2698
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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