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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
16.2
15.7
写入速度,GB/s
10.7
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2644
2974
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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