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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
46
读取速度,GB/s
16.2
10.5
写入速度,GB/s
10.7
8.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2644
2368
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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