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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
42
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
21
读取速度,GB/s
9.7
19.2
写入速度,GB/s
6.0
18.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
4119
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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