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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
16.0
17.8
写入速度,GB/s
11.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3273
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
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