RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Gesamtnote
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
30
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
3273
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link