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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
33
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
33
读取速度,GB/s
16.0
15.6
写入速度,GB/s
11.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2562
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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