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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
36
读取速度,GB/s
16.8
16.3
写入速度,GB/s
10.8
13.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3044
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
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