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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
16.8
18.8
写入速度,GB/s
10.8
15.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3734
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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