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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
18.2
16.6
写入速度,GB/s
11.5
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2825
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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