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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
58
左右 -190% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
20
读取速度,GB/s
4,241.0
19.0
写入速度,GB/s
1,950.7
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3549
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
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