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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
11.9
16.8
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3143
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM 1
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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