RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
3143
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link