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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.8
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
33
读取速度,GB/s
16.8
19.8
写入速度,GB/s
10.8
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3364
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
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