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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
31
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
18
读取速度,GB/s
16.8
20.5
写入速度,GB/s
10.8
16.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3575
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
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