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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
16.8
16.6
写入速度,GB/s
10.8
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3169
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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